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金融界2024年3月14日消息，据国家知识产权局公告，江苏南大光电材料股份有限公司取得一项名为“半导体级四氯化铪的制备方法“，授权公告号CN114835160B，申请日期为2022年5月。

专利摘要显示，本发明公开了半导体级四氯化铪的制备方法，在惰性气氛下取用无机纯度在99.9％以上的四氯化铪原料；惰性气氛下升华收集中间馏分，于真空条件升华，高温区温度280℃～250℃，升华温度230℃～210℃，高沸点区温度200℃～180℃，接收区温度150℃～130℃，低沸点区接收温度120℃～90℃；升华结束，破空，在惰性气氛无水无氧条件下刮料。通过高真空减压升华工艺提纯固体源，确保收集到的四氯化铪纯度达到99.999％以上，高真空有效去除高沸点杂质；通过惰性手套箱的使用，确保产品不会吸潮腐蚀；显著降低四氯化铪中的锆、铁、钛等金属无机离子含量，作为制备氧化铪沉积层的原料，满足14nm制程工艺要求。

 

 

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